近日，我公司自主開發(fā)的溝槽柵-場(chǎng)終止型1200V 50A IGBT芯片，在中科院電工所進(jìn)行了第三方的權(quán)威比對(duì)檢測(cè)。檢測(cè)數(shù)據(jù)顯示，該芯片的電性能特征與德國(guó)英飛凌公司主流應(yīng)用的T系列IGBT芯片的電性能特征相近，整體性能基本持平。
我公司已經(jīng)對(duì)該芯片的結(jié)構(gòu)申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專利。
