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分立器件IGBT、MOS、FRD動態參數測試

   IGBT/MOS：

   t_don, t_r, t_doff, t_f, E_on, E_off;

 測試條件：

   V_CE/V_DS:1000V

   I_CE/I_DS:150A

   FRD：

   t_rr, I_rr, Q_r, E_rec;

  測試條件：

   V_r:1000V

   I_F:100A

   di/dt:100~2000A/μs

大功率模塊器件IGBT、MOS、FRD動態參數測試

  IGBT/MOS：

   t_don, t_r, t_doff, t_f, E_on, E_off;

 測試條件：

   V_CE/V_DS:2000V

   I_CE/I_DS:4000A

 FRD： 

   t_rr, I_rr, Q_r, E_rec;

 測試條件：

   V_r:2000V

   I_F:4000A

   di/dt:1000~20000A/μs

大功率模塊IGBT短路安全工作區測試

 IGBT SCSOA

 測試條件:

   V_CC:2000V

   I_SC:10000A

   t_SC:3~100μs

高溫反偏老化測試

 符合標準：MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等標準。

適用范圍：

  適用于各種封裝形式的二極管(GPP/SKY)、三極管、場效應管、

可控硅、IGBT等器件進行高溫反偏試驗(HTRB)和高溫漏流測試試驗（HTIR）。

IGTB/MOS功率循環老化測試

 符合標準：

   MIL-STD-750D、GJB128、JEDEC等試驗標準。

 適用范圍：

   適用于各種封裝形式的大功率IGBT、MOS管功率循環壽命試驗。

 技術特點：

   ①  試驗電流ICE / IDS設定。

   ②  每個試驗通道的風散熱風道、ON/OFF控制系統都完全獨立。

   ③  監控樣管的管殼溫度TC。